金属-多层绝缘体-金属电容器及其制造方法、集成电路

摘要

本发明提供了一种金属-多层绝缘体-金属电容器及其制造方法、集成电路。根据本发明的金属-多层绝缘体-金属电容器制造方法包括：氮化硅层提供步骤，用于提供氮化硅层；非电容区刻蚀步骤，用于在氮化硅层中刻蚀非电容区；介质层填充步骤，用于在刻蚀出的电容区中填充介质层；电容器图案形成步骤，用于使刻蚀剩余的氮化硅图案化，从而形成多个氮化硅柱；氧化硅沉积步骤，用于在氮化硅柱的侧壁上沉积氧化硅；以及金属填充步骤，用于利用金属填充图案化的氮化硅中形成的凹部。根据本发明，可有效地提高层间和层内电容器的电容，改善包含金属-多层绝缘体-金属电容器的击穿电压、漏电流等各电特性，以及各器件间的电学均匀性。

主权项

一种金属‑多层绝缘体‑金属电容器制造方法，其特征在于包括：氮化硅层提供步骤，用于提供氮化硅层；非电容区刻蚀步骤，用于在氮化硅层中刻蚀非电容区；介质层填充步骤，用于在刻蚀出的非电容区中填充介质层；电容器图案形成步骤，用于使刻蚀剩余的氮化硅图案化，从而形成多个氮化硅柱；氧化硅沉积步骤，用于在氮化硅柱的侧壁上沉积氧化硅；金属填充步骤，用于利用金属填充图案化的氮化硅中形成的凹部；以及导线槽形成步骤，用于在介质层中形成用于形成导线的导线槽；并且在所述金属填充步骤中，还利用金属填充导线槽以形成导线部分。