发明名称 | 一种表面修饰荧光硅量子点的制备方法 | ||
摘要 | 本发明提供一种表面修饰荧光硅量子点的制备方法,包括a)提供包括酸和荧光硅量子点的混合前体溶液,采用光源辐射所述混合前体;b)采用光源辐射所述混合前体溶液得到表面修饰荧光硅量子点。现有技术相比,本发明使用光源辐射包括酸和荧光硅量子点的混合前体溶液,可以将酸修饰在荧光硅量子点的表面,得到表面修饰荧光硅量子点,表面修饰有酸的荧光硅量子点可以很好的溶解在水中,提高了荧光硅量子点的水分散性。 | ||
申请公布号 | CN102453483B | 申请公布日期 | 2014.04.09 |
申请号 | CN201010518438.0 | 申请日期 | 2010.10.18 |
申请人 | 苏州大学 | 发明人 | 何耀 |
分类号 | C09K11/59(2006.01)I | 主分类号 | C09K11/59(2006.01)I |
代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 常亮;李辰 |
主权项 | 一种表面修饰荧光硅量子点的制备方法,包括:a)提供包括酸和荧光硅量子点的混合前体溶液;b)采用光源辐射所述混合前体溶液得到表面修饰荧光硅量子点;所述步骤b)包括:b1)采用蓝光辐射所述混合前体溶液;b2)采用紫外光辐射所述经过蓝光辐射后的混合前体溶液得到表面修饰荧光硅量子点。 | ||
地址 | 215123 江苏省苏州市工业园区仁爱路199号 |