一种平缓光滑侧壁形貌的SiC刻蚀方法

摘要

本发明涉及SiC器件的制作技术，具体涉及一种平缓光滑侧壁形貌的SiC刻蚀方法。该方法包括SiC材料清洗、沉积疏松掩膜层、光刻、干法刻蚀掩膜层、湿法腐蚀光滑掩膜层、去胶、干法刻蚀SiC材料，关键的工艺改进是干法刻蚀疏松掩膜层与湿法腐蚀光滑掩膜层相结合。本发明改变了以往只采用湿法腐蚀掩膜层工艺，从而解决了湿法腐蚀产生的侧蚀导致掩膜条宽变窄的问题，该方法可以有效便捷的获得平缓光滑侧壁的SiC刻蚀形貌。

主权项

一种平缓光滑侧壁形貌的SiC刻蚀方法，所述方法内包括依次进行的SiC材料清洗、沉积疏松掩膜层、光刻、去胶和干法刻蚀SiC材料步骤，其特征在于，在步骤光刻和去胶之间增加依次进行的干法刻蚀疏松掩膜层和湿法腐蚀光滑掩膜层步骤，通过控制平缓光滑侧壁形貌的掩膜，获得平缓光滑侧壁形貌的SiC；所述疏松掩膜层的密度小于对应单晶掩膜层密度的95%。