发明名称 |
具有改善的温度范围的薄膜 |
摘要 |
本发明披露了器件和形成所述器件的方法。所述器件包含基底和薄膜。所述基底的特征为具有第一热膨胀系数。所述薄膜与基底的表面连接,并且特征为具有第二热膨胀系数。所述薄膜包含呈压缩状态的第一层和第二层,和呈拉伸状态的第三层,所述第三层位于第一层和第二层之间。所述薄膜在一定温度范围内为净拉伸状态。 |
申请公布号 |
CN103708404A |
申请公布日期 |
2014.04.09 |
申请号 |
CN201310381565.4 |
申请日期 |
2013.08.28 |
申请人 |
安捷伦科技有限公司 |
发明人 |
P.W.巴思 |
分类号 |
B81B1/00(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I |
主分类号 |
B81B1/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
封新琴 |
主权项 |
器件,其包含:特征为具有第一热膨胀系数(CTE)的基底,所述基底具有表面;和与所述表面连接的薄膜,所述薄膜的特征为具有不同于所述第一CTE的第二CTE;所述薄膜包含:呈压缩状态的第一层和第二层;和呈拉伸状态的第三层,所述第三层位于所述第一层和第二层之间;其中在整个温度范围内所述薄膜对所述基底施加净拉伸力。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |