| 发明名称 | 一种高灵敏度锑碱光电阴极和光电倍增管 | ||
| 摘要 | 一种高灵敏度锑碱光电阴极和光电倍增管，该光电阴极灵敏度相对传统光电阴极有显著提升。该高灵敏度锑碱光电阴极包括光电阴极衬底，光电阴极衬底上设置有阴极增透层，阴极增透层上设置有锑碱光电阴极发射层。其中阴极增透层的折射率在2.3-2.6之间，可以大幅降低入射光损失，并可在一定程度将行进方向与入射光方向相反的电子反向，提高光电阴极量子效率。 | ||
| 申请公布号 | CN103715033A | 申请公布日期 | 2014.04.09 |
| 申请号 | CN201310742762.4 | 申请日期 | 2013.12.27 |
| 申请人 | 中国科学院西安光学精密机械研究所 | 发明人 | 徐向晏;安迎波;孙巧霞;刘虎林;曹希斌;卢裕;田进寿;董改云 |
| 分类号 | H01J1/34(2006.01)I;H01J40/06(2006.01)I;H01J9/12(2006.01)I | 主分类号 | H01J1/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人 | 杨引雪 |
| 主权项 | 一种高灵敏度锑碱光电阴极，其特征在于：包括光电阴极衬底，所述光电阴极衬底上设置有阴极增透层，阴极增透层上设置有锑碱光电阴极发射层。 | ||
| 地址 | 710119 陕西省西安市高新区新型工业园信息大道17号 | ||