发明名称 半导体发光元件和其驱动方法及发光装置和光脉冲测试仪
摘要 本发明提供一种发出多个波段的光的半导体发光元件、其驱动方法、发光装置和光脉冲测试仪。该半导体发光元件的驱动方法,所述半导体发光元件形成如下结构:在1.55μm段具有增益波长(λ1)的活性层(13a)和在1.3μm段具有增益波长(λ2)的活性层(13b)沿着光的波导方向被光耦合而按增益波长(λ1、λ2)的长度依次串联配置,在具有较短的增益波长(λ2)的活性层(13b)附近并且在活性层(13a)和活性层(13b)的对接耦合部(19)附近,形成具有较短的增益波长(λ2)的布拉格波长的衍射光栅(20),所述驱动方法为如下:向活性层(13a)外加驱动电流时,短路设置于活性层(13b)的上方的上部电极和设置于半导体基板的底面的下部电极,以使漏电流不流入活性层(13b)。
申请公布号 CN102377108B 申请公布日期 2014.04.09
申请号 CN201110207676.4 申请日期 2011.07.25
申请人 安立股份有限公司 发明人 森本慎太郎;森浩;长岛靖明
分类号 H01S5/10(2006.01)I;H01S5/30(2006.01)I;H01S5/042(2006.01)I;G01J11/00(2006.01)I 主分类号 H01S5/10(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人 岳雪兰
主权项 一种半导体发光元件,其特征在于,在半导体基板上具有通过劈开形成的第1光出射端面及第2光出射端面,在不同的波长频带具有增益波长的多个活性层在光的波导方向上,从所述第1光出射端面朝向所述第2光出射端面按所述增益波长的长度依次被光耦合而配置,在所述半导体基板的底面形成下部电极的同时在所述多个活性层的各自的上方形成多个上部电极,邻接的2个活性层中在具有较短的增益波长的活性层附近并且在该2个活性层的分界面附近,形成有至少一个具有相当于该较短的增益波长的布拉格波长的衍射光栅,向所述多个活性层中的1个外加驱动电流时,设置于具有该较短的增益波长的活性层的上方的所述上部电极和所述下部电极被短路,以使漏电流不流入邻接于外加该驱动电流的活性层的具有更短的增益波长的活性层,通过由所述第1光出射端面和所述第2光出射端面构成的共振器来振荡在具有最长的增益波长的活性层产生的光,通过由所述衍射光栅和所述第2光出射端面构成的共振器来振荡在具有较短的增益波长的活性层产生的光,同时从所述第2光出射端面出射。
地址 日本神奈川县