具有背面场板结构的增强型MIS-HEMT器件及其制备方法

摘要

本发明公开了一种具有背面场板结构的增强型MIS-HEMT器件及其制备方法。该器件可通过见半导体器件加工工艺制成，其包括源极、漏极、异质结构和背场板电极，该源、漏极与异质结构形成欧姆接触，该异质结构包括沿设定方向依次设置的第一半导体层、第二半导体层，第一半导体层设置于源、漏极之间，且第一半导体层表面还设有栅极，而在异质结构内与栅极相应的区域内还分布有二维电子气耗尽区。该栅极与第一半导体层之间还设有第一绝缘介质层以形成MIS结构，背场板电极设置于第二半导体层的远离第一半导体层的一侧表面。本发明能有效提高器件的击穿电压，并最大程度地抑制“电流崩塌”效应。

主权项

一种具有背面场板结构的增强型MIS‑HEMT器件，包括源极（6）、漏极（5）以及异质结构，所述源极（6）与漏极（5）通过形成于异质结构中的二维电子气电连接，且所述源极（6）和漏极（5）与异质结构形成欧姆接触，所述异质结构包括沿设定方向依次设置的第一半导体层（3）和第二半导体层(2)，所述第一半导体层（3）设置于源极（6）和漏极（5）之间，且所述第一半导体层（3）表面还设有栅极（7），所述栅极（7）与第一半导体层（3）之间还设有第一绝缘介质层(4)形成MIS结构，而在与所述栅极（7）相应的异质结构的局部区域内还分布有二维电子气耗尽区，其特征在于，它还包括背场板电极(10)，所述背场板电极(10)设置于第二半导体层(2)的远离第一半导体层（3）的一侧表面。