发明名称 |
基于硅基的光无源集成器件设计平台 |
摘要 |
本实用新型公开了一种基于硅基的光无源集成器件设计平台及其制作方法,属一种用于光纤通讯的元件,包括芯片衬底,芯片衬底的材质为硅基材料;芯片衬底的上方涂覆有下缓冲层,下缓冲层的上方还涂覆有上缓冲层,下缓冲层与上缓冲层之间还设有芯层;芯层由下缓冲层与上缓冲层完全包覆;芯层上设有呈图案状的引导光路。通过采用硅基材料替代石英作为芯片衬底,由于硅基的硬度比石英要高,且价格便宜,因此可有效降低光无源集成电路芯片的生产成本,而增设的上下缓冲层可保证芯片薄膜厚度以及折射率均匀性,且增加芯片薄膜的致密性和粘附性,通过将芯层的折射率控制在一个较高的范围内,可以大大减少光无源集成器件的尺寸,提高单片晶圆的器件产率。 |
申请公布号 |
CN203536438U |
申请公布日期 |
2014.04.09 |
申请号 |
CN201320646117.8 |
申请日期 |
2013.10.18 |
申请人 |
绵阳芯联芯通信科技有限公司 |
发明人 |
袁晓君;徐艳平;廖鹏 |
分类号 |
H01L27/04(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I;H01L21/70(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/04(2006.01)I |
代理机构 |
四川省成都市天策商标专利事务所 51213 |
代理人 |
罗韬 |
主权项 |
一种基于硅基的光无源集成器件设计平台,包括芯片衬底(1),其特征在于:所述芯片衬底(1)的材质为硅基材料;所述芯片衬底(1)的上方涂覆有下缓冲层(3),所述下缓冲层(3)的上方还涂覆有上缓冲层(2),所述下缓冲层(3)与上缓冲层(2)之间还设有芯层(4);所述芯层(4)由下缓冲层(3)与上缓冲层(2)完全包覆;所述芯层(4)上设有呈图案状的引导光路。 |
地址 |
621000 四川省绵阳市游仙区经济开发区三江路一号 |