| 发明名称 | TFT阵列基板的电容及其制造方法和相关设备 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种TFT阵列基板的电容及其制造方法，以及使用该电容的移位寄存器、栅极驱动器、阵列基板及显示装置。TFT阵列基板包括依次形成在玻璃基板上的TFT栅极层、栅极绝缘层、第一ITO层、TFT有源层、TFT源漏层、钝化层和第二ITO层，电容由该第一ITO层(5)、钝化层(3’)和第二ITO层(6)构成。此外，电容区域的第二ITO层(6)与TFT栅极层(2)相连，由此构成两个并联的电容，或者，电容区域的第一ITO层(6)与述TFT栅极层(2)相连，也能构成两个并联的电容。本发明减小了TFT阵列基板的电容所占的空间，减小了移位寄存器的尺寸，适合于窄边框。 | ||
| 申请公布号 | CN103715207A | 申请公布日期 | 2014.04.09 |
| 申请号 | CN201310753392.4 | 申请日期 | 2013.12.31 |
| 申请人 | 合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 李小和;邵贤杰 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 宋焰琴 |
| 主权项 | 一种TFT阵列基板的电容，所述TFT阵列基板包括形成在衬底基板上的TFT栅极层、栅极绝缘层、第一ITO层、TFT有源层、TFT源漏层、钝化层和第二ITO层，其特征在于，所述电容由该第一ITO层(5)、钝化层(3’)和第二ITO层(6)构成。 | ||
| 地址 | 230012 安徽省合肥市新站区铜陵北路2177号 | ||