发明名称 一种原生硅的清洗方法
摘要 本发明提供了一种原生硅的清洗方法,包括:a)将原生硅在草酸的水溶液中进行超声酸洗;b)将所述超声酸洗的原生硅在清洗剂的水溶液中超声乳化;c)将所述超声乳化的原生硅在水中进行超声水洗。本发明提供的清洗方法既能够清洗原生硅中的杂质,又能够降低原生硅损耗,且清洗成本低廉。能够有效清除过渡金属元素。
申请公布号 CN103706594A 申请公布日期 2014.04.09
申请号 CN201210379754.3 申请日期 2012.09.29
申请人 浙江昱辉阳光能源有限公司 发明人 崔凤磊;蔚建勇;张瑞峰
分类号 B08B3/12(2006.01)I;B08B3/08(2006.01)I 主分类号 B08B3/12(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 赵青朵;李玉秋
主权项 一种原生硅的清洗方法,其特征在于,包括:a)将原生硅在草酸的水溶液中进行超声酸洗;b)将所述超声酸洗的原生硅在清洗剂的水溶液中超声乳化;c)将所述超声乳化的原生硅在水中进行超声水洗。
地址 314117 浙江省嘉兴市嘉善县姚庄镇工业区宝群路8号