发明名称 碳化硅材料腐蚀炉
摘要 一种碳化硅材料腐蚀炉,包括:一主体加热炉,为耐热陶瓷构成的上端开口的中空圆柱体,内壁面有隔热材料,外壁面为不锈钢材料,耐热陶瓷内埋设有电炉丝;一镍质炉盖,位于主体加热炉的开口上方;一镍坩埚,位于主体加热炉内;一镍篮旋转装置,位于主体加热炉的上方;一镍篮,位于镍坩埚内,其上端与镍篮旋转装置连接,用于承载样品;一温控装置,安装在主体加热炉之外。本发明针对碳化硅缺陷腐蚀技术而设计,较传统腐蚀炉具有结构简单,使用安全,操作便捷等优点。
申请公布号 CN102607923B 申请公布日期 2014.04.09
申请号 CN201210105183.4 申请日期 2012.04.11
申请人 中国科学院半导体研究所 发明人 董林;孙国胜;赵万顺;王雷;刘兴昉;刘斌;张峰;闫果果;郑柳;刘胜北
分类号 G01N1/32(2006.01)I 主分类号 G01N1/32(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 汤保平
主权项 一种碳化硅材料腐蚀炉,包括:一主体加热炉,为上端开口的中空圆柱体,主体加热炉的内壁面有一层隔热材料,隔热材料的内壁面有一层耐热陶瓷,主体加热炉的外壁面为不锈钢材料,耐热陶瓷内埋设有电炉丝;一镍质炉盖,位于主体加热炉的开口上方;一镍坩埚,位于主体加热炉内;一镍篮旋转装置,位于主体加热炉的上方;一镍篮,位于镍坩埚内,其上端与镍篮旋转装置连接,用于承载样品;一温控装置,安装在主体加热炉之外。
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