一种半导体薄膜生长设备

摘要

本实用新型公开了一种半导体薄膜生长设备，该生长设备适用于化学气相沉积工艺进行半导体薄膜的生长。所述半导体薄膜生长设备，其包括：载气装置、液态源装置、生长室、旁路以及真空系统，这些部件之间通过管道按一定的逻辑关系连结成一个整体；且每条管道可独立的打开或关闭。所述液态源装置包括多个源瓶，安装在一个惰性气体控制柜里，其中源瓶安装在恒温槽里，通过载气鼓泡法将液态源输送至生长室，并在生长室中进行化学反应合成所需半导体薄膜。所述载气直接通过主管道进入生长室，并通过打开或关闭旁路控制生长室气源，以达到控制薄膜生长以及切换过程中平衡生长室压力的目的。

主权项

一种半导体薄膜生长设备，其特征在于，包括：载气装置、液态源装置、生长室、旁路以及真空系统，所述载气装置依次通过手阀、单向阀以及流量计后与第一、第七和第八管道连接，其中第一管道进一步与第二管道和第三管道连接，第七管道进一步与生长室连接，第八管道进一步与旁路连接；所述液态源装置的入口端与第三管道连接，出口端与第四管道连接；第四管道与第五管道和第六管道连接，第六管道进一步与旁路连接；所述第五管道通过第七管道连接到生长室；所述生长室与真空系统、泵连接；其中，通过打开和关闭所述载气装置与生长室和旁路之间的管道，控制生长室气源。