| 发明名称 | 具有单位单元作为单一器件的存储器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供具有单位单元作为单一器件的存储器件及其制造方法。存储器件包括：基板；在基板上的第一电极层和第二电极层，第二电极层在第一电极层上方，第一电极层和第二电极层的至少之一包括具有响应于所施加的电压而变化的导带偏移的材料；在第一电极层与第二电极层之间的数据存储层；位线，连接到第一电极层和第二电极层之一；以及字线，连接到第一电极层和第二电极层的另一个。 | ||
| 申请公布号 | CN103715197A | 申请公布日期 | 2014.04.09 |
| 申请号 | CN201310305626.9 | 申请日期 | 2013.07.19 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 金英培;金京旻;白寅圭;朴晟准 |
| 分类号 | H01L27/105(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I;H01L21/8239(2006.01)I;G11C16/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/105(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 张波 |
| 主权项 | 一种存储器件，包括：基板；在所述基板上的第一电极层和第二电极层，所述第二电极层在所述第一电极层上方，所述第一电极层和第二电极层的至少之一包括具有响应于所施加的电压而变化的导带偏移的材料；在所述第一电极层与所述第二电极层之间的数据存储层；位线，连接到所述第一电极层和所述第二电极层之一；以及字线，连接到所述第一电极层和所述第二电极层的另一个。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||