| 发明名称 |
Verfahren zur Herstellung eines pn-Übergangs in einer einkristallinen Halbleiteranordnung |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
CH421305(A) |
申请公布日期 |
1966.09.30 |
| 申请号 |
CH19640002660 |
申请日期 |
1964.03.03 |
| 申请人 |
SIEMENS & HALSKE AKTIENGESELLSCHAFT |
发明人 |
WIESNER,RICHARD,DR. |
| 分类号 |
C30B25/02;H01L21/00;H01L29/00;(IPC1-7):H01L7/44 |
主分类号 |
C30B25/02 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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