发明名称 一种用于半导体介质刻蚀机的盖板结构
摘要 一种用于半导体介质刻蚀机的盖板结构,包括沟槽盖板、盖板主体;在盖板主体上设置有凸台面,凸台面的下方台阶面上设置有冷却液沟槽,并由沟槽盖板覆盖其上。冷却液沟槽设置为环形沟槽,环形沟槽的启始端与未端设置有通孔作为冷却液进出口。沟槽盖板与盖板主体的连接为焊接,表面确保平面度并用120PSIG水压测试1小时不泄漏为合格。本发明使冷却液带走刻蚀过程中产生的热量;密封结构保证真空的工作环境;粗糙的凸台表面主要作用可吸附反射的等离子气体,并使之形成漫反射,对晶圆起保护作用;刻蚀环境有腐蚀性,草酸阳极化能增强铝零件的耐腐蚀性且氧化层有一定的强度。它适用于半导体介质刻蚀机中腔室的密封及冷却。
申请公布号 CN103715118A 申请公布日期 2014.04.09
申请号 CN201310637095.3 申请日期 2013.12.03
申请人 靖江先锋半导体科技有限公司 发明人 冯昌延
分类号 H01L21/67(2006.01)I 主分类号 H01L21/67(2006.01)I
代理机构 靖江市靖泰专利事务所 32219 代理人 陆平
主权项 一种用于半导体介质刻蚀机的盖板结构,包括沟槽盖板、盖板主体,其特征在于:盖板主体设置有凸台面,凸台面的下方台阶面上设置有冷却液沟槽,并由沟槽盖板覆盖其上。
地址 214500 江苏省泰州市靖江市城南开发区德裕路8号