| 发明名称 | 一种掺杂量子点硅太阳电池 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开了一种掺杂量子点硅太阳电池，从下至上依次包括：金属铝背电极、P型晶硅层、N型晶硅层、P型掺杂量子点层、N型掺杂量子点层、减反射涂层、梳状电极；其中，在P型晶硅层与N型晶硅层之间、P型掺杂量子点层与N型掺杂量子点层之间均形成PN结。本实用新型结构简单，设计合理，具有较强的可操作性，而且成本较低，适用于商业化生产。 | ||
| 申请公布号 | CN203536448U | 申请公布日期 | 2014.04.09 |
| 申请号 | CN201320485625.2 | 申请日期 | 2013.08.09 |
| 申请人 | 北京桑纳斯太阳能电池有限公司 | 发明人 | 薛黎明;周洪全 |
| 分类号 | H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/078(2012.01)I | 主分类号 | H01L31/0352(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 11003 | 代理人 | 尹振启 |
| 主权项 | 一种掺杂量子点硅太阳电池，其特征在于，从下至上依次包括：金属铝背电极、P型晶硅层、N型晶硅层、P型掺杂量子点层、N型掺杂量子点层、减反射涂层、梳状电极；其中，在P型晶硅层与N型晶硅层之间、P型掺杂量子点层与N型掺杂量子点层之间均形成PN结。 | ||
| 地址 | 102200 北京市昌平区科技园区超前路17号 | ||