一种提高了BVceo的双极型晶体管

摘要

本实用新型公开了一种提高了BVceo的双极型晶体管，首先使用离子注入工艺将P-型元素硼离子预反掺杂到N-型外延硅的表面，然后在沟槽场氧化高温热过程中，预反掺杂的硼离子被推进扩散到晶体管的集电区中，导致在靠近晶体管基区的集电区中，由于部分N-型杂质被P-型杂质补偿，使得净杂质浓度降低、电阻率得到提高，而远离基区的集电区的电阻率基本不变，因此不但提高了晶体管的BVceo，而且晶体管的输出功率性能基本不变，亦即在使用低成本单层电阻率外延硅片时，能够达到较高成本双层电阻率外延硅片才能取得的效果，从而以较低的生产成本，达到晶体管器件的击穿电压与输出功率间更好的综合平衡。

主权项

一种提高了BVceo的双极型晶体管，其特征在于，包括高浓度掺杂的N‑型硅衬底（50），所述N‑型硅衬底（50）的顶部设置有N‑型外延硅（52）；所述N‑型外延硅（52）表面通过离子注入工艺预反掺杂有杂质P‑型元素硼；所述N‑型外延硅（52）的两侧通过沟槽、两步氧化和平坦化工艺技术形成有平坦氧化层（62）；两个所述平坦氧化层（62）之间的N‑型外延硅（52）的上表面设有本征基区（66），所述本征基区（66）的内侧设有两个非本征基区（68），两个所述非本征基区（68）之间设置有发射区（70）；所述本征基区（66）的外侧通过热过程杂质激活工艺形成的第二冶金结（64）；所述N‑型外延硅（52）的上面还淀积有介质材料（72），所述非本征基区（68）和发射区（70）处的介质材料（72）上通过光刻和刻蚀形成基极B和发射极E的接触孔，所述接触孔中设有金属连接线条（76）。