| 发明名称 | 半导体基板、半导体基板的制造方法、和电子器件 | ||
| 摘要 | 本发明提供适于在单一半导体基板上形成HBT和FET之类的多个不同种类的器件的化合物半导体基板。所述半导体基板包括：第1半导体、形成于第1半导体上的具有电子捕获中心或空穴捕获中心的载流子阱层、在载流子阱层上外延生长且作为自由电子或自由空穴移动的通道发挥功能的第2半导体、以及第3半导体，所述第三半导体包含在第2半导体上外延生长而成的以N型半导体/P型半导体/N型半导体表示的层叠体、或在所述第2半导体上外延生长而成的以P型半导体/N型半导体/P型半导体表示的层叠体。 | ||
| 申请公布号 | CN102369597B | 申请公布日期 | 2014.04.09 |
| 申请号 | CN201080014399.9 | 申请日期 | 2010.04.02 |
| 申请人 | 住友化学株式会社 | 发明人 | 市川磨 |
| 分类号 | H01L21/8222(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I;H01L21/338(2006.01)I;H01L21/8232(2006.01)I;H01L21/8248(2006.01)I;H01L27/06(2006.01)I;H01L29/737(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I;H01L29/812(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8222(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 蒋亭 |
| 主权项 | 一种半导体基板，其具备：第1半导体；载流子阱层，形成于所述第1半导体上的具有电子捕获中心或空穴捕获中心；第2半导体，在所述载流子阱层上外延生长且作为自由电子或自由空穴移动的通道发挥功能；以及第3半导体，所述第3半导体包含在所述第2半导体上外延生长而成的以N型半导体/P型半导体/N型半导体表示的层叠体或在所述第2半导体上外延生长而成的以P型半导体/N型半导体/P型半导体表示的层叠体，在所述载流子阱层与所述第2半导体之间还具备含有耗尽化区域的耗尽化半导体。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||