三维单浮栅非易失性存储器装置

摘要

本发明提供了一种以三维鳍式金属氧化物半导体场效应晶体管工艺技术为基础的三维单浮栅非易失性存储器装置，包含一金属浮栅和两个半导体鳍片。该金属浮栅通过储存电荷可改变鳍式金属氧化物半导体场效应晶体管的阈值电压，该金属浮栅跨越该两个半导体鳍片且形成于耦合介电层及穿隧介电层的上方，而耦合介电层及穿隧介电层形成于该两个半导体鳍片的表面上。具有同型杂质的其一半导体鳍片形成该单浮栅非易失性存储器装置的控制栅。在另一半导体鳍片中，位于该金属浮栅下方的通道区被掺杂了相反型杂质，而位于该金属浮栅侧边的源极和漏极则被掺杂了同型杂质。

主权项

一种三维单浮栅非易失性存储器装置，其特征在于，所述三维单浮栅非易失性存储器装置包含：一第一半导体鳍片，具有一第一端和第二端，且沿着自所述第一端到所述第二端的第一方向延伸，所述第一半导体鳍片包含：一源极区，位于所述第一端；一漏极区，位于所述第二端；以及一通道区，延伸于所述源极区和所述漏极区之间；一第二半导体鳍片，以平行于所述第一半导体鳍片的方向作延伸，而且与第一半导体鳍片相隔；以及一浮栅，形成于所述第一半导体鳍片和所述第二半导体鳍片的上方，且与所述第一半导体鳍片和所述第二半导体鳍片电性绝缘，所述浮栅沿着一第二方向延伸而且完全覆盖所述通道区；其中，所述通道区的电传导型相反于所述源极区以及所述漏极区；以及其中，所述第一方向垂直于所述第二方向。