用脉冲激光法制备单带差超晶格薄膜太阳电池的新技术

摘要

本发明属于新型薄膜太阳电池的结构设计和制备之技术领域。脉冲激光沉积（PLD）技术是一种先进的制备多层薄膜技术。本发明使用248nmKrF气体脉冲激光轰击化合物靶材，可以沉积出无组分偏析的化合物晶态薄膜，是制备半导体超晶格多层薄膜的理想技术方法。随着第三代太阳电池概念的提出和薄膜太阳电池研究的发展，基于多带隙半导体太阳电池模型，半导体超晶格薄膜在太阳电池领域的应用备受关注。本发明为了提高薄膜太阳电池的效率，开发新的太阳电池吸收层材料，简化技术环节，设计出了适宜的单带差超晶格薄膜太阳电池结构，并提出了制备这类太阳电池的专用PLD技术方法和思路。

主权项

本专利的特征是利用脉冲激光沉积（PLD）技术，制备新型的单带差超晶格薄膜太阳电池，包括：单带差超晶格的结构；单带差超晶格的材料；单带差超晶格薄膜太阳电池的PLD技术制备细节。