| 发明名称 | 聚光硅纳米孔阵列结构太阳能电池及其制备方法 | ||
| 摘要 | 一种聚光硅纳米孔阵列结构太阳能电池，包括：一Al/Si合金背电极；一p+背接触层，位于Al/Si合金背电极的上面；一p型晶硅材料层，位于p+背接触层的上面；一n+接触层，位于p型晶硅材料层的上面，该n+接触层的上面开有硅纳米孔阵列；一SiO2钝化层，位于开有硅纳米孔阵列的n+接触层的表面；一前电极，横竖交叉形成于n+接触层上。 | ||
| 申请公布号 | CN102610665B | 申请公布日期 | 2014.04.09 |
| 申请号 | CN201110435947.1 | 申请日期 | 2011.12.22 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 韩伟华;陈艳坤;李小明;杨富华 |
| 分类号 | H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/0232(2014.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/0352(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 一种聚光硅纳米孔阵列结构太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：步骤1：在p型晶硅材料层上表面制备一层n+接触层，形成pn+结结构；步骤2：在p型晶硅材料层下表面形成p+背接触层；步骤3：在n+接触层上表面上光刻出硅纳米孔阵列的光刻胶图形；步骤4：将Ag金属填充于硅纳米孔阵列的光刻胶图形内，通过诱导腐蚀的方法，形成硅纳米孔阵列；步骤5：在位于开有硅纳米孔阵列的n+接触层的表面，淀积SiO2钝化层；步骤6：在p+背接触层下表面制作Al/Si合金背电极；步骤7：通过光刻、腐蚀和金属蒸发剥离，在n+接触层上制作前电极。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||