| 摘要 |
Halbleiterbauelement, umfassend: eine kanalbildende Schicht auf einem Halbleitersubstrat; eine Trennschicht auf der kanalbildenden Schicht; eine zweidimensionale Elektronengasschicht, die an einer Grenzfläche zwischen der Trennschicht und der kanalbildenden Schicht ausgebildet ist; eine Steuerelektrode in einer Beziehung mit Abstand zur Trennschicht; und eine erste vertiefte ohmsche Elektrode, die eine Vielzahl von Seitenflächen enthält, die in ohmschem Kontakt mit der zweidimensionalen Elektronengasschicht stehen und nicht parallel zu einer Kanalbreitenrichtung liegen, wobei eine Seite der ersten vertieften ohmschen Elektrode, die in ohmschem Kontakt mit der zweidimensionalen Gasschicht steht, eine wellige Form aufweist. |
