Photovoltaische Einheit mit einem Feld an einer mit Aluminium plattierten Rückseite sowie Verfahren zum bilden derselben

摘要

Es wird eine photovoltaische Einheit bereitgestellt, die ein Halbleitersubstrat beinhaltet, das einen pn-Übergang mit einem p-leitenden Halbleiteranteil und einem n-leitenden Halbleiteranteil übereinander beinhaltet. Auf einer p-leitenden Halbleiteroberfläche des Halbleitersubstrats befindet sich eine Vielzahl strukturierter Antireflexbeschichtungsschichten, wobei wenigstens ein Anteil der p-leitenden Halbleiteroberfläche des Halbleitersubstrats freigelegt ist. Direkt auf dem wenigstens einen Anteil der p-leitenden Halbleiteroberfläche des Halbleitersubstrats, der freigelegt ist, befindet sich Aluminium.