Coplanare Langsamwellen-Wellenleiterstrukturen auf einem Chip mit Durchkontaktierung durch Silicium, Herstellungsverfahren und Entwurfsstruktur

摘要

Hierin werden Durchkontaktierungsstrukturen durch Silicium für coplanare Hochleistungs-Langsamwellen-Wellenleiter auf einem Chip, ein Herstellungsverfahren und Entwurfsstrukturen für integrierte Schaltungen bereitgestellt. Das Verfahren umfasst das Bilden mindestens einer Masseebenenschicht (25) in einem Substrat (10) und das Bilden einer Signalschicht (30) in dem Substrat in einer Schicht derselben Ebene wie die mindestens eine Masse. Das Verfahren umfasst ferner das Bilden mindestens einer metallgefüllten Durchkontaktierung durch Silicium (35) zwischen der mindestens einen Masseebenenschicht und der Signalschicht.