| 摘要 |
Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung schaffen Herstellungsverfahren. In einem ersten Schritt wird ein Halbleitersubstrat mit einer Gitterebene bereitgestellt, die nicht symmetrisch und mit einem Winkel α versetzt zu zumindest einem ersten Hauptoberflächenbereich oder einem zweiten Hauptoberflächenbereich des Halbleitersubstrats verläuft, wobei der erste Hauptoberflächenbereich und der zweite Hauptoberflächenbereich parallel zueinander verlaufen. In einem zweiten Schritt wird ausgehend von dem ersten Hauptoberflächenbereich in das Halbleitersubstrat anisotrop geätzt, um eine Ätzstruktur zu erhalten, die in einer Ebene, die senkrecht zu dem ersten Hauptoberflächenbereich des Halbleitersubstrats verläuft, zwei unterschiedliche Ätzwinkel bezüglich des ersten Hauptoberflächenbereichs aufweist. In einem dritten Schritt wird eine Abdeckungsschicht auf den ersten Hauptoberflächenbereich des Halbleitersubstrats angeordnet, so dass die Abdeckungsschicht zumindest bereichsweise an der Ätzstruktur anliegt. In einem vierten Schritt wird das Material des Halbleitersubstrats ausgehend von dem zweiten Hauptoberflächenbereich im Bereich der verformten Abdeckungsschicht abschnittsweise entfernt, so dass die Abdeckungsschicht in zumindest einem Fensterbereich freiliegt. |
