| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauteil (101), umfassend : - eine Halbleiterschichtenfolge (103) mit einer Mehrfach-Quantentopf-Struktur (105, 301), - wobei die Mehrfach-Quantentopf-Struktur (105, 301) einen ersten Quantentopf (107, 303) mit einer ersten Bandlückenenergie und - einen zweiten Quantentopf (109, 305) mit einer zweiten Bandlückenenergie aufweist, die größer ist als die erste Bandlückenenergie - wobei der erste Quantentopf (107, 303) und der zweite Quantentopf (109, 305) benachbart zu einander gebildet sind, - wobei eine Differenz zwischen der ersten und der zweiten Bandlückenenergie derart gewählt ist, dass mittels einer Anregung des ersten Quantentopfes (107, 303) gebildete Ladungsträger (319, 321) eine Energie aus einem Verlustprozeß, insbesondere einem Augerprozess, nutzen können, um in den zweiten Quantentopf (109, 305) zu gelangen, um in dem zweiten Quantentopf (109, 305) strahlend zu rekombinieren. Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zum Betreiben des optoelektronischen Bauteils (101).</p> |
