| 摘要 |
Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils (100, 200) angegeben umfassend das Bereitstellen eines Trägers (1), das Bereitstellen einer Leiterstruktur (2), die mit einem elektrisch leitenden Material gebildet ist und eine Vielzahl von Durchbrüchen (3) aufweist und das Anordnen der Leiterstruktur (2) an einer Oberseite (4) des Trägers (1), wobei die Oberseite (4) in den Durchbrüchen (3) der Leiterstruktur (2) freiliegt. Weiterhin umfasst das Verfahren das Bereitstellen einer Vielzahl von optoelektronischen Halbleiterchips (5), wobei jeder optoelektronische Halbleiterchip (5) zumindest an einer Oberseite (6) eine Schicht (7) umfasst, das Anordnen der Vielzahl von optoelektronischen Halbleiterchips (5) an der Oberseite (4) des Trägers (1), in den Durchbrüchen (3) der Leiterstruktur (2), das Bilden einer elektrischen Verbindung (8) zwischen einer Anschlussstelle (9) eines jeden optoelektronischen Halbleiterchips (5) und der Leiterstruktur (2) und das Umformen des optoelektronischen Halbleiterchips (5) und der elektrischen Verbindung (8) mit einem Formkörper (11), wobei der Formkörper (11) die Seitenflächen (12) aller optoelektronischen Halbleiterchips (5) zumindest stellenweise bedeckt und wobei der Formkörper (11) die optoelektronischen Halbleiterchips (5) an ihrer dem Träger (1) abgewandten Oberseite (4) nicht überragt. Außerdem umfasst das Verfahren das Entfernen des Trägers (1) sowie das Vereinzeln zumindest des Formkörpers (11) zur Erzeugung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen (101, 201), wobei jedes optoelektronische Halbleiterbauteil (101, 201) wenigstens einen optoelektronischen Halbleiterchip (5) umfasst. |
