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Verfahren zur Rückgewinnung von Verstärkung in einem bipolaren Transistor, wobei ein Abbau der Verstärkung durch einen Leistungs-Verschleiß der bipolaren Transistor verursacht ist, wobei dieses Verfahren umfasst: Bereitstellung eines bipolaren Transistors umfassend einen Emitter, einen Kollektor und eine Basis, die zwischen den Übergangen zum Emitter und zum Kollektor angeordnet ist; Betrieb in Sperrrichtung des Übergangs, der zwischen dem Emitter und der Basis angeordnet ist mit einer Betriebsspannung und für einen Betriebszeitraum, so dass eine Stromverstärkungβdes Transistors durch den Leistungs-Verschleiß abgebaut wird; Leerlauf des Transistors, und Erzeugung eines Stroms Ibr in der Basis, während des Betriebs in Vorwärtsrichtung des Übergangs, der zwischen dem Emitter und der Basis mit einer ersten Spannung (VBER) angeordnet ist, und während zumindest teilweise gleichzeitigen Betriebs in Sperrrichtung des Übergangs, der zwischen dem Kollektor und der Basis mit einer ... |
