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Bereitgestellt ist ein Verfahren zur Bewertung von Defekten in einem Wafer. Das Verfahren zur Bewertung der Waferdefekte umfasst das Erstellen einer Waferprobe, Bilden einer Oxidationsschicht auf der Waferprobe, Messen einer Diffusionsdistanz eines Minoritätsträgers unter Verwendung einer Oberflächenfotospannung (SPV) und Ermitteln von Ergebnissen eines Verunreinigungsgrads. |
