Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung

摘要

Ein Ziel der vorliegenden Erfindung besteht in der Schaffung einer Halbleitervorrichtung, mit der sich zeitliche Änderungen einer Schwellenspannung unterdrücken lassen, sowie in der Schaffung eines Verfahrens zum Herstellen derselben. Eine Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung weist Folgendes auf: eine auf einem Halbleitersubstrat (20) gebildete Driftschicht (21), erste Wannenbereiche (41), die in einer Oberflächenschicht der Driftschicht (21) gebildet sind und voneinander beabstandet sind, eine Gateisolierschicht (30), die sich auf der Driftschicht (21) und jedem der ersten Wannenbereiche (41) erstreckend gebildet ist, eine Gateelektrode (50), die auf der Gateisolierschicht (30) selektiv gebildet ist, eine Sourcekontaktöffnung (61), die die Gateisolierschicht (30) durchsetzt und bis ins Innere von jedem der ersten Wannenbereiche (41) hineinreicht, sowie eine zumindest an einer Seitenfläche der Sourcekontaktöffnung (61) gebildete Druckeigenspannungsschicht (90), in der eine Druckspannung verbleibt.