一种交替供源制备的氮化物单晶薄膜及方法

摘要

本发明是一种利用交替供源制备的高质量氮化物晶薄膜，其结构是在单晶衬底上是氮化铝AlN缓冲层；在氮化铝AlN缓冲层上是氮化物单晶薄膜。其制备方法，包括如下工艺步骤：a)单晶衬底放入反应室，高温烘烤；b)在单晶衬底上制备Al浸润层；c)在浸润层上制备氮化铝AlN缓冲层；d)在氮化铝AlN缓冲层上制备氮化物单晶薄膜；e)降至室温，取出。优点：本方法是在交替供源方法制备高晶体质量的氮化铝缓冲层的基础上，结合In气氛保护和Al浸润层，可进一步改善氮化物单晶薄膜的晶体和表面质量，并降低薄膜应力；具有结构简单、工艺可控；表面形貌好；低成本等特点。

主权项

一种利用交替供源制备的高质量氮化物晶薄膜，其特征是在单晶衬底上是氮化铝AlN缓冲层；在氮化铝AlN缓冲层上是氮化物单晶薄膜。