发明名称 |
存储器单元及存储信息的方法 |
摘要 |
一些实施例包含存储器单元,所述存储器单元具有沟道支撑材料、所述沟道支撑材料上方的介电材料、所述介电材料上方的载流子捕获材料及所述载流子捕获材料上方且直接抵靠于所述载流子捕获材料的导电电极材料;其中所述载流子捕获材料包含镓、铟、锌及氧。一些实施例包含存储信息的方法。提供一种存储器单元,所述存储器单元具有沟道支撑材料、所述沟道支撑材料上方的介电材料、所述介电材料上方的载流子捕获材料及所述载流子捕获材料上方且直接抵靠于所述载流子捕获材料的导电电极材料;其中所述载流子捕获材料包含镓、铟、锌及氧。确定是否在所述载流子捕获材料中捕获载流子以借此确认所述存储器单元的存储器状态。 |
申请公布号 |
CN103703564A |
申请公布日期 |
2014.04.02 |
申请号 |
CN201280036892.X |
申请日期 |
2012.06.27 |
申请人 |
美光科技公司 |
发明人 |
古尔特杰·S·桑胡;D·V·尼马尔·拉马斯瓦米 |
分类号 |
H01L27/115(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/115(2006.01)I |
代理机构 |
北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 |
代理人 |
孙宝成 |
主权项 |
一种存储器单元,其包括:沟道支撑材料;介电材料,其在所述沟道支撑材料上方;载流子捕获材料,其在所述介电材料上方;所述载流子捕获材料包括镓、铟、锌及氧;及导电电极材料,其在所述载流子捕获材料上方且直接抵靠于所述载流子捕获材料。 |
地址 |
美国爱达荷州 |