一种用于硅单晶片抛光的抛光液及其制备与应用

摘要

本发明属于硅片加工中的化学机械抛光领域，涉及一种用于硅单晶片抛光的抛光液及其制备和使用方法。本发明的抛光液包括如下重量百分含量的组分：磨料20-40wt%、1,2-丙二胺0.5-5wt%、季铵盐或者季铵碱0.5-5wt%、水50-79wt%；所述抛光液中大于等于0.56??m的大颗粒数为20万颗/ml-80万颗/ml。使用时抛光液与去离子水的稀释质量之比为1:20-30。本发明的抛光液具有抛光速度快，表面缺陷少（无划伤和拉丝等不良现象），抛光后硅片表面易清洗等优点，特别适合硅单晶片的粗抛光。

主权项

一种用于硅单晶片抛光的抛光液，由如下重量百分含量的组分组成：磨料20‑40wt%、1,2‑丙二胺0.5‑5wt%、季铵盐或者季铵碱0.5‑5wt%、水50‑79wt%；无机盐的含量为1‑2wt%；所述各组分重量百分含量之和为100wt%；所述抛光液中大于等于0.56μm的大颗粒数为20万颗/ml‑80万颗/ml，所述磨料为胶体二氧化硅，磨料粒径为20‑120nm，所述季铵盐或者季铵碱选自四甲基氢氧化铵、四甲基氯化铵、四甲基溴化铵或者它们的混合物，所述无机盐选自碳酸氢钾、碳酸钾、氯化钾、硝酸钾、硫酸钾、磷酸钾、碳酸氢钠、碳酸钠、氯化钠、硝酸钠、硫酸钠、磷酸钠、碳酸氢铵、碳酸铵、氯化铵、硝酸铵、硫酸铵、磷酸铵中的一种或几种。