| 发明名称 | 一种全环栅CMOS场效应晶体管和制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种全环栅CMOS场效应晶体管和制备方法，主要包括硅或SOI衬底和n型及p型高迁移率材料的无转移集成，设计三维多层高迁移率材料的结构及其外延生长，制备横向三维p型和n型单片集成纳米线阵列，得到全环栅CMOS场效应晶体管。本发明能够更好的满足10nm以下技术节点对器件性能提出的更高要求。 | ||
| 申请公布号 | CN103700660A | 申请公布日期 | 2014.04.02 |
| 申请号 | CN201310676287.5 | 申请日期 | 2013.12.11 |
| 申请人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明人 | 王庶民;李耀耀;龚谦;程新红 |
| 分类号 | H01L27/092(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I;B82Y10/00(2011.01)I | 主分类号 | H01L27/092(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海泰能知识产权代理事务所 31233 | 代理人 | 宋缨;孙健 |
| 主权项 | 一种基于硅基三维纳米线阵列的全环栅CMOS场效应晶体管，包括硅基底，其特征在于，所述硅基底上生长有n型横向三维单片集成的高迁移率纳米线阵列和p型横向三维单片集成的高迁移率纳米线阵列；所述n型横向三维单片集成的高迁移率纳米线阵列和p型横向三维单片集成的高迁移率纳米线阵列间隔排列。 | ||
| 地址 | 200050 上海市长宁区长宁路865号5号楼505室 | ||