发明名称 |
抑制电磁干扰用聚丙烯薄膜电容器 |
摘要 |
本实用新型公开了抑制电磁干扰用聚丙烯薄膜电容器,涉及电容器技术领域,具体涉及Y2认证的安规电容器结构的改进技术。包括两条引线、电容器芯子和本体,本体内部的电容器芯子采用金属镀层作电极、聚丙烯薄膜作介质,电极上焊接引线,芯子外面盒式封装构成电容器的本体。本实用新型解决了Y2认证的陶瓷电容容量小,精度较低,机械强度较低的问题。 |
申请公布号 |
CN203521167U |
申请公布日期 |
2014.04.02 |
申请号 |
CN201320608023.1 |
申请日期 |
2013.09.29 |
申请人 |
佛山市南海区欣源电子有限公司 |
发明人 |
谢志懋;王占东 |
分类号 |
H01G4/14(2006.01)I;H01G4/005(2006.01)I;H01G4/33(2006.01)I;H01G4/32(2006.01)I |
主分类号 |
H01G4/14(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
抑制电磁干扰用聚丙烯薄膜电容器,包括两条引线、电容器芯子和本体,其特征在于,本体内部的电容器芯子采用金属镀层作电极、聚丙烯薄膜作介质,电极上焊接引线,芯子外面盒式封装构成电容器的本体;芯子包括两层聚丙烯薄膜;上一层聚丙烯薄膜下面有一层金属镀层,这一层金属镀层两边与上层的聚丙烯薄膜边沿之间分别有留边量,该留边量宽度为聚丙烯薄膜宽度的10‑15%;下层的聚丙烯薄膜下面有并排设置的两层金属镀层,两层金属镀层外侧边沿分别与下层的聚丙烯薄膜平齐,两层金属镀层之间有中留边,中留边的宽度为聚丙烯薄膜宽度的12‑20%;两层聚丙烯薄膜卷绕构成芯子。 |
地址 |
528000 广东省佛山市南海区西樵科技工业园内 |