一种提高集成电路电容密度的工艺

摘要

一种MIM结构电容的子模块，该电容由若干子模块组成，该子模块包括有A基槽、A极槽、介电质材料层、B基槽、B极槽，其中在介质材料层中，存在一个A基槽和B基槽，A基槽和B基槽相互平行，A基槽上依次设置若干与A基槽垂直的A极槽，B基槽上依次设置若干与B基槽垂直的B极槽，A极槽与B极槽在物理空间内相互平行，A极槽与B极槽依次相邻设置，所有的A基槽和A基槽上的A极槽与所有的B基槽和B基槽上的B极槽相互隔离，被介电质材料隔离，一种MIM结构电容结构，所述MIM结构电容结构由前述的一种MIM结构电容的子模块构成，所述MIM结构电容结构由4个MIM结构电容的子模块依次连接构成。

主权项

一种制造MIM结构电容结构的工艺，其具有以下步骤：a:在一种基片上沉积一层介电质层；b:在介电质层上进行图像化处理，过程为首先在所述介电质层设置一个封闭的长方形沟槽，在此沟槽平面内形成2条相互垂直平分十字型的沟槽，将介电质层平分为4个面积大致相等、图形大致相同的非封闭区域，所述2条相互垂直平分的沟槽与封闭的长方形沟槽不相通，其次，在十字型沟槽与封闭的长方形沟槽形成的非封闭区域内，以十字沟槽端点为起点，垂直于十字沟槽，形成2条以上的相互平行的沟槽，然后，形成相互平行且垂直于封闭的沟槽的2条以上沟槽，端点在封闭的沟槽上，端点在十字沟槽上的沟槽与端点在封闭沟槽上的沟槽相互平行，依次相邻，不相互接触；c:在介电质层上和介电质层中形成的沟槽中沉积一层金属极板层；d:进行化学机械研磨，将介电质层上的金属层研磨掉。