发明名称 |
49S石英晶体谐振器的制备方法 |
摘要 |
本发明公开并提供了一种能降低激励电平相关性、提高产品良品率和产品可靠性的49S石英晶体谐振器的制备方法。该方法包括以下步骤:a、通过研磨机对石英晶片进行研磨;b、根据实际情况计算出返回频率,根据返回频率得出合适的腐蚀频率后,利用酸性溶液对研磨后的石英晶片进行腐蚀;c、在低真空条件下,采用氮离子对石英晶片的进行轰击,清洁石英晶片的表面;d;通过石英晶片的腐蚀频率和晶体谐振器频率差来确定膜层厚度之后进行镀膜,形成引出电极,并使其频率达到规定范围;e、将镀膜后的石英晶片装在基座上,点上导电胶并高温固化;f、使用干式清洗装置对石英晶片上的异物进行进一步扫除。 |
申请公布号 |
CN103701424A |
申请公布日期 |
2014.04.02 |
申请号 |
CN201310721025.6 |
申请日期 |
2013.12.24 |
申请人 |
珠海东精大电子科技有限公司 |
发明人 |
田峰 |
分类号 |
H03H3/02(2006.01)I |
主分类号 |
H03H3/02(2006.01)I |
代理机构 |
广州市红荔专利代理有限公司 44214 |
代理人 |
王贤义 |
主权项 |
一种49S石英晶体谐振器的制备方法,其特征在于:它包括以下步骤:通过研磨机对石英晶片进行研磨;根据实际情况计算出返回频率,根据返回频率得出合适的腐蚀频率后,利用酸性溶液对研磨后的石英晶片进行腐蚀;在低真空条件下,采用氮离子对石英晶片的表面进行轰击,清洁石英晶片的表面;通过石英晶片的腐蚀频率和晶体谐振器频率差来确定膜层厚度之后进行镀膜,形成引出电极,并使其频率达到规定范围;将镀膜后的石英晶片装在基座上,点上导电胶并高温固化;使用干式清洗装置对石英晶片上的异物进行进一步扫除。 |
地址 |
519060 广东省珠海市珠海大道东段南屏科技园绿园路3号 |