| 发明名称 | 掺杂外延层的掺杂杂质浓度的监控方法 | ||
| 摘要 | 本发明提出了一种外延层掺杂杂质浓度的监控方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成外延结构，所述外延结构至少包括掺杂外延层；在所述外延结构上形成保护层；提供不同掺杂杂质浓度的标准外延层的折射率标准曲线和吸光率标准曲线，所述标准外延层的厚度与所述掺杂外延层的厚度相同；获得所述掺杂外延层的折射率曲线和吸光率曲线；将所述折射率曲线和吸光率曲线分别与所述折射率标准曲线和吸光率标准曲线比对，与所述折射率曲线和吸光率曲线匹配的折射率标准曲线和吸光率标准曲线对应的掺杂杂质浓度作为所述掺杂外延层的掺杂杂质的浓度。本发明提高了外延层沉积工艺的稳定性。 | ||
| 申请公布号 | CN102479730B | 申请公布日期 | 2014.04.02 |
| 申请号 | CN201010565093.4 | 申请日期 | 2010.11.29 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 何有丰;胡亚兰 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;G01N21/31(2006.01)I;G01N21/41(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种掺杂外延层的掺杂杂质浓度的监控方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成外延结构，所述外延结构至少包括掺杂外延层；在所述外延结构上形成保护层，所述保护层用于消除污染物对所述掺杂外延层的折射率曲线和吸光率曲线的影响；提供不同掺杂杂质浓度的标准外延层的折射率标准曲线和吸光率标准曲线，所述标准外延层的厚度与所述掺杂外延层的厚度相同；获得所述掺杂外延层的折射率曲线和吸光率曲线；将所述折射率曲线和吸光率曲线分别与所述折射率标准曲线和吸光率标准曲线比对，与所述折射率曲线和吸光率曲线匹配的折射率标准曲线和吸光率标准曲线对应的掺杂杂质浓度作为所述掺杂外延层的掺杂杂质的浓度。 | ||
| 地址 | 100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号 | ||