| 发明名称 | 栅极氧化层的形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种栅极氧化层的形成方法，包括：提供衬底，通过热氧化工艺，在所述衬底上形成栅极氧化层，其中，所述热氧化工艺的反应气体至少包含有氧化亚氮。本发明通过热氧化工艺，在至少包含有氧化亚氮的气体中通过氧化工艺生成栅极氧化层，使得所述栅极氧化层中具有微量或痕量的氮元素，所述氮元素可以阻止后续注入的掺杂离子扩散到栅极氧化层内，避免扩散至栅极氧化层内的掺杂离子对栅极氧化层造成损伤，使得所述栅极氧化层具有良好的薄膜特性，改善栅极氧化层的漏电现象，提高半导体器件的电学性能。 | ||
| 申请公布号 | CN102543704B | 申请公布日期 | 2014.04.02 |
| 申请号 | CN201010620563.2 | 申请日期 | 2010.12.31 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 何永根 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种栅极氧化层的形成方法，其特征在于，提供衬底，采用热氧化工艺在所述衬底上形成栅极氧化层，其中，所述热氧化工艺的反应气体至少包含有氧化亚氮；热氧化工艺的温度是700度‑800度；所述栅极氧化层的厚度范围为8埃～40埃。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||