发明名称 |
单晶硅提拉用二氧化硅容器及其制造方法 |
摘要 |
本发明是在内侧具有由透明二氧化硅玻璃构成的透明层,在外侧具有由含有气泡的不透明二氧化硅玻璃构成的不透明层的单晶硅提拉用二氧化硅容器,本发明是上述透明层位于上述二氧化硅容器的内表面侧,并由以200~2000massppm的浓度含有OH基的高OH基层和OH基浓度低于该高OH基层的低OH基层构成,且在上述高OH基层的内表面以25~1000μg/cm2的浓度涂布有Ba的单晶硅提拉用二氧化硅容器。由此,本发明提供一种二氧化硅容器,该二氧化硅容器在用于提拉单晶硅时,通过使该容器的由透明二氧化硅玻璃构成的内侧表面的整个面在该容器开始使用后的短时间内微晶化(玻璃陶瓷化),可大幅度提高该容器内侧表面的对于硅熔液的耐蚀刻性(耐腐蚀性)。 |
申请公布号 |
CN103703171A |
申请公布日期 |
2014.04.02 |
申请号 |
CN201380002396.7 |
申请日期 |
2013.03.18 |
申请人 |
信越石英株式会社 |
发明人 |
山形茂 |
分类号 |
C30B29/06(2006.01)I;C30B15/10(2006.01)I;C03B20/00(2006.01)I |
主分类号 |
C30B29/06(2006.01)I |
代理机构 |
北京冠和权律师事务所 11399 |
代理人 |
朱健 |
主权项 |
一种单晶硅提拉用二氧化硅容器,在内侧具有由透明二氧化硅玻璃构成的透明层,在外侧具有由含有气泡的不透明二氧化硅玻璃构成的不透明层,该单晶硅提拉用二氧化硅容器其特征在于,上述透明层,位于上述二氧化硅容器的内表面侧,并由以200~2000massppm的浓度含有OH基的高OH基层和OH基浓度低于该高OH基层的低OH基层构成,在上述高OH基层的内表面以25~1000μg/cm2的浓度涂布有Ba。 |
地址 |
日本东京都新宿区西新宿1丁目22番2号 |