一种锗纳米线结构的制作方法

摘要

本发明公开了一种锗纳米线结构的制作方法，该方法包括：将锗衬底或沉积有锗薄膜的衬底洗净，对其表面进行光刻和刻蚀，获得锗线条结构；在锗线条结构表面沉积覆盖氧化物或者氮化物侧墙材料；利用各向异性刻蚀方法，去除掉锗线条间覆盖的侧墙材料，得到三面包覆侧墙材料的锗线条；以及将该三面包覆侧墙材料的锗线条置于纯氧气或含有氧气的混合气体中，通过调节气体流量比进而控制氧气分压以及反应温度，得到锗纳米线结构。本发明提供的锗纳米线结构的制作方法，具有可大面积生长、工艺简便、纳米线直径可控以及制备成本低等优点。

主权项

一种锗纳米线结构的制作方法，其特征在于，该方法包括：将锗衬底或沉积有锗薄膜的衬底洗净，对其表面进行光刻和刻蚀，获得锗线条结构；在锗线条结构表面沉积覆盖氧化物或者氮化物侧墙材料；利用各向异性刻蚀方法，去除掉锗线条间覆盖的侧墙材料，得到三面包覆侧墙材料的锗线条；以及将该三面包覆侧墙材料的锗线条置于纯氧气或含有氧气的混合气体中，通过调节气体流量比进而控制氧气分压以及反应温度，得到锗纳米线结构。