| 发明名称 | 等离子CVD装置 | ||
| 摘要 | 本发明的等离子CVD装置具备：真空腔室；真空排气部，将上述真空腔室内真空排气；气体供给部，向上述真空腔室内供给原料气体；等离子产生电源，使供给到上述真空腔室内的原料气体产生等离子；多个自转保持部，以自转的状态保持上述基材；和多个公转机构，使上述多个自转保持部绕与上述自转保持部的旋转轴轴心平行的公转轴公转；上述多个公转机构分别被分到第1组和第2组的任一个中，所述第1组连接在上述等离子产生电源的一个极上，所述第2组连接在上述等离子产生电源的另一个极上。 | ||
| 申请公布号 | CN103703163A | 申请公布日期 | 2014.04.02 |
| 申请号 | CN201280038128.6 | 申请日期 | 2012.07.25 |
| 申请人 | 株式会社神户制钢所 | 发明人 | 玉垣浩;芳贺润二 |
| 分类号 | C23C16/458(2006.01)I;C23C16/509(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/458(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 朱美红;李婷 |
| 主权项 | 一种等离子CVD装置，在作为成膜对象的多个基材上分别形成被膜，其特征在于，具备：真空腔室；真空排气部，将上述真空腔室内真空排气；气体供给部，向上述真空腔室内供给原料气体；等离子产生电源，使供给到上述真空腔室内的原料气体产生等离子；多个自转保持部，一边自转一边保持上述基材；和多个公转机构，使上述多个自转保持部绕与上述自转保持部的旋转轴轴心平行的公转轴公转；上述多个公转机构分别被分到第1组和第2组的任一个中，所述第1组连接在上述等离子产生电源的一个极上，所述第2组连接在上述等离子产生电源的另一个极上。 | ||
| 地址 | 日本兵库县神户市 | ||