发明名称 |
一种阵列基板及显示装置 |
摘要 |
本实用新型公开了一种阵列基板及显示装置,该阵列基板包括衬底基板,位于衬底基板上的薄膜晶体管和公共电极线,薄膜晶体管包括依次设置在衬底基板上的有源层、栅电极和源漏电极;公共电极线与栅电极同层设置,且公共电极线具有第一过孔;源漏电极中的漏电极贯穿第一过孔与有源层电性连接,且漏电极与公共电极线相互绝缘;公共电极线在衬底基板的正投影与漏电极在衬底基板的正投影至少部分重叠。与现有的阵列基板相比,该阵列基板可以在公共电极线与漏电极之间形成存储电容,起到了增大阵列基板的存储电容、提高阵列基板的像素电压保持率、以及降低显示装置的闪烁等不良现象的效果。 |
申请公布号 |
CN203521413U |
申请公布日期 |
2014.04.02 |
申请号 |
CN201320661446.X |
申请日期 |
2013.10.15 |
申请人 |
京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
发明人 |
孙建;李成;魏向东;安星俊 |
分类号 |
H01L27/12(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/12(2006.01)I |
代理机构 |
北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 |
代理人 |
黄志华 |
主权项 |
一种阵列基板,包括衬底基板,位于所述衬底基板上的薄膜晶体管和公共电极线,所述薄膜晶体管包括依次设置在衬底基板上的有源层、栅电极和源漏电极,其特征在于;所述公共电极线与所述栅电极同层设置,且所述公共电极线具有第一过孔;所述源漏电极中的漏电极贯穿所述第一过孔与所述有源层电性连接,且所述漏电极与所述公共电极线相互绝缘;所述公共电极线在所述衬底基板的正投影与所述漏电极在所述衬底基板的正投影至少部分重叠。 |
地址 |
100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 |