| 发明名称 | 用于高机械可靠性用途的晶片级互连 | ||
| 摘要 | 本文描述的结构包括位于两个间隔开的电接触部之间的互连。该互连包含基本由镍(Ni)、锡(Sn)、银(Ag)和铜(Cu)组成的无铅(Pb)焊料合金。当位于两个接触部之间时，镍(Ni)含量足以在凸点下金属层中产生平滑界面IMC层。本文描述结构的实施方案是一种器件，其包含：衬底，位于衬底上的凸点下金属层(UBM)，位于凸点下金属层(UBM)上的主体焊料体，通过主体焊料体连接到凸点下金属层(UBM)的晶片部件。主体焊料体包含镍(Ni)、锡(Sn)、银(Ag)和铜(Cu)。镍(Ni)在0.01-0.20重量％(wt％)的范围内。 | ||
| 申请公布号 | CN101589462B | 申请公布日期 | 2014.04.02 |
| 申请号 | CN200780040017.8 | 申请日期 | 2007.10.05 |
| 申请人 | 倒装芯片国际有限责任公司 | 发明人 | A·科提斯;G·F·博格斯;M·约翰逊;T·特塞尔;Y·羽 |
| 分类号 | H01L21/4763(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/4763(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 李帆 |
| 主权项 | 位于两个间隔开的电接触部之间的互连结构，所述电接触部包括第一金属接触部和第二金属接触部，所述互连结构包含：基本由Sn‑Ag‑Cu和镍(Ni)组成的无铅(Pb)焊料合金，其中镍(Ni)在0.01‑0.20重量％(wt％)范围内；和具有与所述焊料合金接触的上表面以及与所述第一金属接触部接触的底表面的平滑金属间化合物(IMC)层，所述IMC层包含铜与镍的化合物，并且所述IMC层具有小于2.0微米的厚度。 | ||
| 地址 | 美国亚历桑那 | ||