使用金属氧化物的大容量一次性可编程存储单元

摘要

一种编程非易失性存储器件的方法，包括(i)提供包含有与至少一个金属氧化物串联的二极管的非易失性存储单元，(ii)施加第一正向偏置，将金属氧化物的电阻率状态从第一状态变化到第二状态；(iii)施加第二正向偏置，将金属氧化物的电阻率状态从第二状态变化到第三状态；以及(iv)施加第三正向偏置，将金属氧化物的电阻率状态从第三状态变化到第四状态。第四电阻率状态高于第三电阻率状态，第三电阻率状态低于第二电阻率状态，而第二电阻率状态低于第一电阻率状态。

主权项

一种编程非易失性存储单元的方法，包括：提供包括与至少一个金属氧化物串联的二极管的非易失性存储单元；施加第一正向偏置，将所述金属氧化物的电阻率状态从第一状态改变到第二状态；施加第二正向偏置，将所述金属氧化物的电阻率状态从第二状态改变到第三状态；以及施加第三正向偏置，将所述金属氧化物的电阻率状态从第三状态改变到第四状态；其中所述第四电阻率状态高于所述第三电阻率状态，所述第三电阻率状态低于所述第二电阻率状态，所述第二电阻率状态低于所述第一电阻率状态，所述第二正向偏置大于所述第一或所述第三正向偏置，所述第二正向偏置在比所述第一正向偏置大的电流限制下施加，并且所述第三正向偏置在比所述第二正向偏置大的电流限制下施加。