| 发明名称 | In-Ga-O系氧化物烧结体、靶、氧化物半导体薄膜以及它们的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种氧化物烧结体，其中，实质上结晶结构由显示出方铁锰矿结构的氧化铟构成，镓原子固溶在上述氧化铟中，原子比Ga/(Ga+In)为0.10～0.15。 | ||
| 申请公布号 | CN102652119B | 申请公布日期 | 2014.04.02 |
| 申请号 | CN201180004849.0 | 申请日期 | 2011.01.14 |
| 申请人 | 出光兴产株式会社 | 发明人 | 江端一晃;笘井重和;矢野公规 |
| 分类号 | C04B35/00(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I;H01L21/203(2006.01)I | 主分类号 | C04B35/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 翟赟琪 |
| 主权项 | 一种氧化物烧结体，其由结晶结构的90体积％以上显示出方铁锰矿结构的氧化铟构成镓原子固溶在所述氧化铟中，原子比Ga/(Ga+In)为0.10～0.15。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||