| 发明名称 | 晶界绝缘型半导体陶瓷、半导体陶瓷电容器以及半导体陶瓷电容器的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供晶界绝缘型半导体陶瓷、半导体陶瓷电容器以及半导体陶瓷电容器的制造方法。扩散剂中即使不使用Pb类材料，也能够获得良好的电气特性。晶界绝缘型半导体陶瓷以SrTiO3类化合物为主成分而形成，并且含有包含晶界绝缘化剂和玻璃成分的扩散剂。晶界绝缘化剂由不含Pb的非Pb类材料形成，并且玻璃成分以不含B和Pb的SiO2-X2O-MO-TiO2类玻璃材料(X表示碱金属，M表示选自Ba、Sr、Ca的至少一种)为主成分，并且所述玻璃成分的含量相对于100重量份所述晶界绝缘化剂为3～15重量份。部件主体2由该晶界绝缘型半导体陶瓷形成。 | ||
| 申请公布号 | CN102649642B | 申请公布日期 | 2014.04.02 |
| 申请号 | CN201210034635.4 | 申请日期 | 2012.02.10 |
| 申请人 | 株式会社村田制作所 | 发明人 | 立川勉 |
| 分类号 | H01G4/12(2006.01)I;H01G4/28(2006.01)I | 主分类号 | H01G4/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 胡烨 |
| 主权项 | 一种晶界绝缘型半导体陶瓷，其以SrTiO3类化合物为主成分而形成，并且含有包含晶界绝缘化剂和玻璃成分的扩散剂，其特征在于，所述晶界绝缘化剂由不含Pb的非Pb类材料形成，且至少含有Bi和Cu，并且所述玻璃成分以不含B和Pb的SiO2‑X2O‑MO‑TiO2类玻璃材料为主成分，其中，X表示碱金属，M表示选自Ba、Sr、Ca的至少一种，并且所述玻璃成分的含量相对于100重量份所述晶界绝缘化剂为3～15重量份；所述扩散剂的含量相对于100重量份所述主成分为0.8～1.5重量份。 | ||
| 地址 | 日本京都府 | ||