| 发明名称 | 一种CMOS芯片处理方法及设备 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种CMOS芯片处理方法，所述方法包括以下步骤：向待处理的CMOS芯片注入二氟化硼，其中，注入所述二氟化硼的能量为60千电子伏特，注入二氟化硼的剂量范围为1.8×1012ions/cm2～2.2×1012ions/cm2；对注入二氟化硼后的所述待处理的CMOS芯片进行侧墙蚀刻操作。通过本发明，调整了由于取消RTA操作造成的电性参数的漂移，使调整后的电性参数与未取消RTA操作时的电性参数相差很小，满足芯片性能需求。本发明还公开了一种CMOS芯片处理设备。 | ||
| 申请公布号 | CN101764095B | 申请公布日期 | 2014.04.02 |
| 申请号 | CN200810241030.6 | 申请日期 | 2008.12.25 |
| 申请人 | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 | 发明人 | 闻正锋 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人 | 黄志华 |
| 主权项 | 一种不执行快速热退火操作的CMOS芯片处理方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：向待处理的CMOS芯片注入二氟化硼，其中，注入所述二氟化硼的能量为60千电子伏特，注入二氟化硼的剂量范围为1.8×1012ions/cm2～2.2×1012ions/cm2；对注入二氟化硼后的所述待处理的CMOS芯片进行侧墙蚀刻操作。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区成府路298号方正大厦9层 | ||