一种提高静态随机存储器写入冗余度的方法

摘要

本发明公开了一种提高静态随机存储器读出冗余度的方法，包括下列步骤：提供静态随机存储器衬底，所述衬底上包括依次相邻的NMOS区域、第一PMOS区域和第二PMOS区域，所述第一NMOS区域用于制备普通NMOS器件、控制管和下拉管，所述第一PMOS区域用于制备普通PMOS器件，所述第二PMOS区域用于制备上拉管；在所述NMOS区域、所述第一PMOS区域和所述第二PMOS区域之间形成浅槽隔离区；同时对所述NMOS区域和所述第二PMOS区域采取局部应变硅技术，使得所述NMOS区域和所述第二PMOS区域均位于锗硅虚拟衬底之上的外延硅薄膜之中。本发明降低了上拉管空穴迁移率，增大了上拉管的等效电阻，提高了随机存储器写入冗余度。

主权项

一种提高静态随机存储器写入冗余度的方法，其特征在于，包括下列步骤：提供静态随机存储器衬底，所述衬底上包括依次相邻的NMOS区域、第一PMOS区域和第二PMOS区域，所述NMOS区域用于制备普通NMOS器件、控制管和下拉管，所述第一PMOS区域用于制备普通PMOS器件，所述第二PMOS区域用于制备上拉管；在所述NMOS区域、所述第一PMOS区域和所述第二PMOS区域之间形成浅槽隔离区；同时对所述NMOS区域和所述第二PMOS区域采取局部应变硅技术，使得所述NMOS区域和所述第二PMOS区域均位于锗硅虚拟衬底之上的外延硅薄膜之中。