| 发明名称 | 存储器的检测方法 | ||
| 摘要 | 一种存储器的检测方法，所述存储器包括：呈M行N列排布的存储单元，M＞1，N＞1，所述存储器的检测方法包括：对所述M行N列的存储单元进行第一初始化处理；在所述第一初始化处理之后，按照从第M行存储单元至第1行存储单元的顺序对所述M行N列的存储单元进行第一写操作以写入预设数据；在所述第一写操作之后，对所述M行N列的存储单元进行第一读取操作；根据所述第一读取操作的读取结果与结果阈值的比较结果获得第一读取数据；比较所述第一读取数据与所述预设数据以获得第一比较结果；根据所述第一比较结果对所述存储器进行判定操作。本发明的技术方案可以进一步减小了存储器出现写入的数据与读取的数据不相同的概率。 | ||
| 申请公布号 | CN103700408A | 申请公布日期 | 2014.04.02 |
| 申请号 | CN201410006855.5 | 申请日期 | 2014.01.07 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 张若成;顾靖 |
| 分类号 | G11C29/14(2006.01)I | 主分类号 | G11C29/14(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 吴靖靓;骆苏华 |
| 主权项 | 一种存储器的检测方法，所述存储器包括：呈M行N列排布的存储单元，M＞1，N＞1，其特征在于，包括：对所述M行N列的存储单元进行第一初始化处理；在所述第一初始化处理之后，按照从第M行存储单元至第1行存储单元的顺序对所述M行N列的存储单元进行第一写操作以写入预设数据；在所述第一写操作之后，对所述M行N列的存储单元进行第一读取操作；根据所述第一读取操作的读取结果与结果阈值的比较结果获得第一读取数据；比较所述第一读取数据与所述预设数据以获得第一比较结果；根据所述第一比较结果对所述存储器进行判定操作。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||